DRAM行业供需分析报告的主要分析要点是:
1)DRAM行业产能/产量分析。是指统计分析生产者在某一特定时期内,可生产出的商品总量以及已生产出的商品总量;同时分析这一时期内DRAM行业产能/产量结构(区域结构、企业结构等)。
2)DRAM行业进出口分析。是指统计分析同上时期内DRAM行业进出口量、进出口结构、以及进出口价格走势分析。
3)DRAM行业库存及自用量等分析。
4)DRAM行业供给分析。市场供给量不等于生产量,因为生产量中有一部分用于生产者自己消费,作为贮备或出口,而供给量中的一部分可以是进口商品或动用贮备商品。
5)DRAM行业需求分析。是指统计分析上述时期内下游市场对DRAM行业商品的需求总量分析;同时分析这一时期内下游行业需求规模、需求结构以及需求总量的区域结构等。
6)DRAM行业供给影响因素分析。包括价格因素、替代品因素、生产技术、政府政策以及下游行业发展等。
7)DRAM行业需求影响因素分析。包括可支配收入改变、个人喜好的改变、借贷及其成本、替代品和互补品的价格转变、人口数量和结构、对将来的预期、教育程度的改变等。
DRAM行业供需分析报告是基于经济学中有关供需关系理论为基础的分析成果。DRAM行业市场供给是指生产者在某一特定时期内,在每一价格水平上愿意并且能够提供的一定数量的商品或劳务;DRAM行业市场需求指的是下游有能力购买,并愿意购买某个具体商品的欲望,显示的是其它因素不变的情况下,随着价格升降,某个体在每段时间内所愿意买的某商品的数量。
TechInsights平台上发布报告称,2025年第一季度,市场上将首次推出D1c的一小部分产品,首先由SK海力士推出。D1c世代将在2026年和2027年占据主导地位,包括HBM4 DRAM应用。从市场角度看,HBM产品,尤其是HBM3和HBM3E,性能卓越但目前价格高昂,而传统产品如LPDDR5和DDR5器件则价格较低且性能相对较弱。未来AI和数据中心将需要更高的单个裸晶的内存容量,例如32 Gb、48 Gb或64 Gb芯片,但目前市场上主流仍是16 Gb裸晶。在更高密度的DRAM芯片中,应开发3D DRAM架构,如4F2垂直沟道晶体管 (VCT) 单元、IGZO DRAM单元或3D堆叠DRAM单元,并在10纳米以下级别节点(个位数节点)实现产品化,尤其是三星、SK海力士和美光等主要厂商,作为下一代DRAM缩放的候选方案。D1a和D1b是市场上的主流产品。到2027年底,我们预计DRAM将迈入个位数纳米技术节点,如D0a,随后将是0b和0c世代。