中国报告大厅网讯，当前全球半导体产业正经历结构性调整，DRAM作为核心存储芯片面临供需格局重塑。最新调查显示，2025年第一季度品牌厂商提前布局出货策略已对供应链产生显著影响，为后续市场波动奠定基础。

  一、库存去化加速：品牌厂主动调节推动DRAM供应链优化

  中国报告大厅发布的《2025-2030年全球及中国DRAM行业市场现状调研及发展前景分析报告》指出，2025年第一季下游消费电子、服务器及汽车制造等领域的主要品牌厂商普遍加快产品出货节奏，通过战略备货应对国际环境变化。这种前瞻性策略有效缓解了DRAM产业库存压力，为后续价格企稳创造了有利条件。供应链数据显示，截至第一季度末，渠道端DRAM库存水位较去年峰值下降约18%，核心供应商的成品库存周转效率提升超过25%。

  二、价格走势呈现分化：Conventional DRAM与HBM市场表现差异显著

  进入第二季度后，常规型DRAM（Conventional DRAM）的价格调整幅度将明显收窄，预计环比跌幅控制在0%5%区间。这一趋势反映出市场需求端的谨慎回暖态势，尤其是服务器和移动设备领域的采购需求逐步企稳。

  相比之下，高带宽存储器（HBM）市场呈现强劲增长势头。随着HBM3e 12hi规格产品量产规模扩大，该细分领域将带动整体DRAM均价逆势上扬。预测数据显示，第二季度含HBM的综合DRAM价格有望实现3%8%的环比涨幅，成为支撑产业复苏的重要力量。

  三、技术迭代驱动结构性增长：HBM3e成市场新增长极

  HBM3e产品的规模化应用正在重塑高端存储市场格局。其12层堆叠技术带来的带宽提升和能效优化，使其在AI训练服务器、高性能计算及下一代图形渲染领域获得广泛应用。供应链数据显示，采用HBM3e的显存模组出货量将在第二季度环比增长40%以上，直接带动相关DRAM产品溢价能力回升。

  总结来看，2025年DRAM市场呈现"底部修复+技术驱动"双重特征。短期价格波动与长期结构升级并行发展，品牌厂商的战略调整加速了行业去库存进程，而HBM等先进制程产品的商业化突破则为市场注入持续增长动能。投资者需密切关注供需动态平衡及新技术渗透率变化，在周期性波动中把握结构性机会。