中国报告大厅网讯，2025年5月31日

  半导体行业的持续突破正推动芯片设计向更复杂的异构集成方向发展。作为全球领先的芯片制造商，英特尔近期在电子元件技术大会上展示了多项封装技术的前沿进展，包括EMIB-T供电增强方案、创新散热架构及热键合工艺优化。这些技术创新不仅为HBM4/4e内存等尖端组件的整合提供了底层支撑，更将单一封装内的计算与互联能力推向新高度，成为未来高性能计算系统发展的关键推动力。

  一、EMIB-T突破供电瓶颈：实现超大规模封装集成

  英特尔新一代嵌入式多芯片互连桥接技术（EMIB）通过引入硅通孔（TSV）架构升级为EMIB-T方案。这一改进解决了传统悬臂式供电路径的高电压降问题，通过底部垂直供电通道将供电电阻降低50%以上，有效支持120x180毫米超大封装尺寸内的稳定电力分配。在通信层面，EMIB-T单桥接器即可承载32 Gb/s速率的UCIe-A协议数据传输，并兼容玻璃基板与有机基板两种载体，为HBM4/4e内存集成提供低延迟互联通道。

  目前该技术已实现45微米凸块间距量产，研发管线中更推进至35微米（量产在即）和25微米（原型阶段）。实验数据显示，在12英寸晶圆级封装测试中，EMIB-T较前代技术将信号完整性提升30%，同时支持单封装内超过38个芯片桥接与12颗矩形裸片的混合集成。

  二、分解式散热架构：破解千瓦级功耗散热难题

  针对AI算力需求推动的高密度封装热管理挑战，英特尔开发了创新的散热器分离技术。通过将散热组件拆解为平板-加强筋复合结构，并优化热界面材料（TIM）的耦合工艺，成功将焊料空隙率降低25%。该架构可配合集成微通道的液冷顶盖，在1000瓦持续功耗场景下实现核心温度稳定控制。实测表明，改进后的散热系统使封装级热阻下降18%，为超大规模GPU阵列和AI加速器提供了可靠冷却方案。

  三、热键合工艺升级：提升异构集成良率与可靠性

  针对大尺寸封装的翘曲问题，英特尔开发了动态温度补偿型热压粘合技术。通过实时监控芯片-基板界面温差并施加局部压力补偿，在12英寸晶圆级封装中将对准精度控制在±5微米以内。这项突破使异构集成良率提升至92%（传统工艺约85%），同时支持更精细的EMIB-T间距设计，为未来20微米级互连方案奠定基础。

  四、封装技术生态赋能代工战略

  这些技术创新不仅强化了英特尔内部产品竞争力，更为其代工业务构建差异化优势。通过开放式的先进封装平台，客户可灵活组合不同供应商的计算单元与内存芯片，加速异构系统集成进程。当前已有云计算巨头和国家级科研项目采用该技术，在2025年规划中，基于EMIB-T的HBM4e混合封装方案将成为高性能计算市场的主流选择。

  总结

  从供电架构革新到散热系统的颠覆性设计，再到工艺良率的突破性提升，英特尔此次披露的技术矩阵重新定义了先进封装的可能性边界。这些成果不仅支撑着未来5-7年芯片性能的增长曲线，更为行业提供了兼容不同制程节点、跨越供应商壁垒的集成解决方案。随着2025下半年首批EMIB-T量产产品的落地，半导体产业正迎来异构计算的新时代拐点。