中国报告大厅网讯，随着半导体行业进入调整周期，存储芯片领域在2025年初经历显著波动。DRAM作为核心存储技术，在供需关系变化、产品结构优化及下游需求复苏的多重影响下，展现出阶段性特征。本文基于最新市场动态，分析其短期压力与长期增长潜力，揭示行业关键趋势及其背后驱动因素。

  一、2025年第一季度DRAM营收承压：结构性调整与价格下行

  中国报告大厅发布的《2025-2030年中国DRAM市场专题研究及市场前景预测评估报告》指出，2025年第一季全球DRAM产业营收为270.1亿美元，环比下降5.5%，主要源于两方面压力：其一是一般型DRAM（Conventional DRAM）合约价持续下跌，受库存去化及需求疲软拖累；其二是高带宽内存（HBM）出货规模收缩。此前，部分厂商为优化HBM3e产品设计调整产能分配，导致HBM对传统DRAM的排挤效应减弱，下游客户借此加速清理库存，进一步加剧价格下行压力。

  二、价格趋势拐点临近：第二季采购动能与供需平衡修复

  展望2025年第二季度，PC OEM厂商及智能手机制造商已逐步完成库存去化目标，并重启整机生产计划，带动DRAM位元需求显著回升。数据显示，原厂出货量预计环比增长，尤其在消费电子领域的需求反弹将支撑市场回暖。价格方面，多数应用领域的合约价有望终止跌势：

  三、技术迭代与市场需求双重驱动未来增长

  尽管短期波动存在，行业长期前景仍受高带宽内存（HBM）等高端产品的推动。随着AI算力需求激增及数据中心扩容，HBM的出货规模有望在2025下半年恢复增长态势。同时，消费电子市场的回暖将为DRAM全品类提供稳定支撑，形成技术升级与应用扩展的双轮驱动格局。

  总结全文

  2025年第一季度DRAM市场因结构性调整和库存压力呈现营收下滑，但第二季度需求复苏已初现端倪。通过下游厂商积极去库、终端生产重启以及价格止跌回升等信号可见，行业正逐步走出周期底部。未来随着HBM技术渗透率提升及消费电子市场需求回暖，DRAM产业有望在下半年实现供需平衡，并为长期增长奠定基础。当前市场动态表明，短期波动不改中长期向好趋势，关键仍在于厂商如何把握技术迭代与产能优化的窗口期。

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