“我准备把新一代存储技术带到中国！”美国工程院院士马佐平在华人论坛上的演讲中表示，相变存储器将是未来存储的方向。

    出生于甘肃兰州的马佐平现任美国耶鲁大学教授、电机系主任。凭借在研发“互补性氧化金属半导体”闸介极科技方面的卓越贡献，马佐平成为美国半导体微电子科技领域的权威。目前,马佐平正领导着新一代存储设备的研发。    

    马佐平说，长期以来，广东的微电子产业主要以低端的装配为主，芯片等的研发速度相对较慢。除中芯国际在深圳的加工工厂外，研发力量十分薄弱。他说，世界存储器领域正面临着新一轮的变革，闪存和动态记忆存储在未来3到5年内将达到极限,无法再继续缩小尺寸、增加密度。

    “相变存储器是未来发展方向，将逐步取代闪存、磁盘等。”他介绍说，三星、IBM等三家世界级的公司正瞄准这一领域发力,而马佐平正是IBM的合作者。“我们明年可能在中国大陆实现量产，不过是代工。预计到2014年以后考虑设厂,正在跟苏州、天津和广州等地谈。”马佐平透露。