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半导体存储器行业市场现状:高度垄断逐步加剧
 半导体存储器 2016-09-26 17:29:37

  半导体存储器是一种以半导体电路作为存储媒体的存储器,内存储器就是由称为存储器芯片的半导体集成电路组成。

  2016-2021年中国半导体存储器行业发展分析及投资潜力研究报告表明,半导体集成电路持续叐到国家政策的扶持,近期仍国家层面到地方层面的政策及资本的持续也是持续丌断。存储器是集成电路产业的基础产品之一,产品的成熟度和产业的觃模敁应均较为显著,而目前中国大陆地匙的企业在相关领域内的仹额仌然较低,通过国家政府层面的大觃模投资有机会快速切入相关领域,也是芯片国产化之路迈出的可靠而重要的一步。

  全球半导体产品的销售额和存储器销售额

  半导体存储器是一个高度垄断的市场,其三大主流产品DRAM,NANDFlash,NORFlash更是如此,尤其是前两者,全球市场基本被前三大公司占据,且近年来垄断程度逐步加剧。以DRAM和NAND两种主要存储芯片为例,2016年第一季度,DRAM市场93%份额由韩国三星、海力士和美国美光科技三家占据,而NANDFlash市场几乎全部被三星、海力士、东芝、闪迪、美光和英特尔等六家瓜分。

  (1)DRAM:全球市场规模约410亿美元。目前DRAM行业基本被三星,海力士,美光三家垄断了95%以上的市场。2014年,三星、海力士在先进制程上表现出众,三星(Samsung)已大规模采用20nm工艺,毛利达42%,SK海力士则以25nm工艺为主,毛利率达40%,两者获利能力皆进一步提升,而美光的工艺则仍以30nm制程为主,毛利率约为24%,远低于前两家,故DRAM市场的垄断格局有加剧之势,尤其是三星,由于率先进入20nm量产时代,成功销售不少高附加价值产品,2015年DRAM市场虽略有萎缩,但三星的营业收入反而逆势生长,突破200亿美元大关,并连续24年蝉联DRAM半导体全球市占率第一。

  在移动DRAM市场上,三星与海力士的市占率超过80%,呈现压倒性优势。

  (2)NANDFlash:全球市场规模约300亿美元。NAND的垄断形势比DRAM更加严重,三星依然是行业龙头,连续多年市占率维持在35%左右,东芝则和闪迪联手,共同夺得了NAND领域第二的位子,市占率一般保持在30%左右;美光则拥有英特尔的帮助,排行第三;海力士在2011年市占率超过了美光,之后则将重心放在了DRAM方面,2012-14年连续三年排第四。上述四家公司垄断了整个NAND市场,且垄断程度呈上升趋势,2011年到2014年期间,四大寡头的NAND市占率由91.3%上升到了99.2%。

  (3)NORFlash:全球市场规模约30亿美元。相对DRAM和NAND来说,NOR市场要小的多,分散程度也更大,目前市场主要由美光、飞索半导体(被Cypress收购)、旺宏、三星、华邦、兆易创新、宜扬科技七家主导,前五家属于IDM模式,后两家属于Fabless模式,其中兆易创新是我国唯一一家在主流存储器设计行业掌握一定话语权的企业,其在NORFlash领域进步飞速,2012年还仅占市占率的3.4%,到2013年已跃居11%,位列全球第四。

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