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全球DRAM市场动态:2025年第一季度调整与未来复苏展望
 DRAM 2025-06-03 14:37:43

  中国报告大厅网讯,随着半导体行业进入传统淡季,叠加市场需求结构性变化的影响,2025年第一季度全球DRAM产业经历了一轮显著调整。尽管部分领域面临价格波动与库存压力,但产业链上下游已逐步释放积极信号,为后续季度的回暖埋下伏笔。

  一、2025年Q1全球DRAM产业营收呈现季节性下滑

  中国报告大厅发布的《2025-2030年中国DRAM市场专题研究及市场前景预测评估报告》指出,受多重因素影响,第一季度DRAM产业总营收降至270.1亿美元,环比减少5.5%。其中,一般型DRAM合约价延续跌势是核心拖累项,同时高带宽内存(HBM)的出货规模因市场需求收敛而缩减,进一步加剧了整体营收压力。这一结果反映了存储芯片市场在供需关系调整期的典型特征:下游客户库存去化与厂商产能策略变化形成双重挑战。

  二、价格下跌源于技术调整与需求放缓

  数据显示,多数DRAM产品合约价较2024年第四季度持续走低。主要原因包括:HBM3e产品的设计优化使主要厂商逐步释放原有产能,缓解了此前因高端产品排产导致的其他类别DRAM供给紧张局面;与此同时,下游客户在经历前期备货后加速库存消化,进一步抑制短期采购需求。这种供需动态调整短期内压制了价格反弹空间,但同时也为市场平衡创造了条件。

  三、2025年Q2有望开启触底回升周期

  展望第二季度,行业趋势出现积极转变:多数应用领域的合约价预计止跌企稳,并逐步进入上升通道。其中,一般型DRAM的均价回升将带动整体DRAM及HBM合并市场的回暖。分析指出,数据中心与AI算力需求的结构性增长、消费电子市场旺季备货启动,以及厂商对产能分配策略的优化,共同支撑了这一预期。

  总结

  2025年第一季度的DRAM产业表现既体现了传统淡季的客观规律,也折射出技术迭代与市场需求变化带来的深层调整。尽管营收短期承压,但价格触底信号叠加下游需求复苏迹象表明,第二季度或将迎来关键转折点。未来市场能否持续回暖,仍需关注厂商库存去化进度、先进制程量产节奏以及新兴应用领域的实际落地情况。

延伸阅读

机构:预计2027年底DRAM将迈入个位数纳米技术节点(20250218/14:35)

TechInsights平台上发布报告称,2025年第一季度,市场上将首次推出D1c的一小部分产品,首先由SK海力士推出。D1c世代将在2026年和2027年占据主导地位,包括HBM4 DRAM应用。从市场角度看,HBM产品,尤其是HBM3和HBM3E,性能卓越但目前价格高昂,而传统产品如LPDDR5和DDR5器件则价格较低且性能相对较弱。未来AI和数据中心将需要更高的单个裸晶的内存容量,例如32 Gb、48 Gb或64 Gb芯片,但目前市场上主流仍是16 Gb裸晶。在更高密度的DRAM芯片中,应开发3D DRAM架构,如4F2垂直沟道晶体管 (VCT) 单元、IGZO DRAM单元或3D堆叠DRAM单元,并在10纳米以下级别节点(个位数节点)实现产品化,尤其是三星、SK海力士和美光等主要厂商,作为下一代DRAM缩放的候选方案。D1a和D1b是市场上的主流产品。到2027年底,我们预计DRAM将迈入个位数纳米技术节点,如D0a,随后将是0b和0c世代。

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