摩根士丹利指出，由于近年来DRAM厂新增产能有限，叠加HBM消耗大量产能，DRAM正迎来前所未有的供需失衡“超级周期”，明年标准型DRAM供应缺口高达23%，将比HBM更缺，为近年罕见，价格将一路上涨。大摩调升今年第三季DRAM和NAND芯片价格涨幅预估，由原预期8%和10%，上调至13%和20%，调升幅度高达六成以上。
TechInsights平台上发布报告称，2025年第一季度，市场上将首次推出D1c的一小部分产品，首先由SK海力士推出。D1c世代将在2026年和2027年占据主导地位，包括HBM4 DRAM应用。从市场角度看，HBM产品，尤其是HBM3和HBM3E，性能卓越但目前价格高昂，而传统产品如LPDDR5和DDR5器件则价格较低且性能相对较弱。未来AI和数据中心将需要更高的单个裸晶的内存容量，例如32 Gb、48 Gb或64 Gb芯片，但目前市场上主流仍是16 Gb裸晶。在更高密度的DRAM芯片中，应开发3D DRAM架构，如4F2垂直沟道晶体管 (VCT) 单元、IGZO DRAM单元或3D堆叠DRAM单元，并在10纳米以下级别节点（个位数节点）实现产品化，尤其是三星、SK海力士和美光等主要厂商，作为下一代DRAM缩放的候选方案。D1a和D1b是市场上的主流产品。到2027年底，我们预计DRAM将迈入个位数纳米技术节点，如D0a，随后将是0b和0c世代。
中国报告大厅声明：本平台发布的资讯内容主要来源于合作媒体及专业机构，信息旨在为投资者提供一个参考视角，帮助投资者更好地了解市场动态和行业趋势，并不构成任何形式的投资建议或指导，任何基于本平台资讯的投资行为，由投资者自行承担相应的风险和后果。
我们友情提示投资者：市场有风险，投资需谨慎。
京公网安备 11010502031895号