中国报告大厅网讯，薄膜沉积设备是半导体、光伏、高端面板领域的核心中游工艺设备，通过物理或化学方法在基板表面形成功能性薄膜，直接影响下游产品的性能与良率，其国产化进程直接关系国内半导体产业链自主可控目标的实现，当前国内产业资本持续向高端半导体设备领域倾斜。

一、产业供需格局

1.1 全球市场走势

1.1.1 全球市场规模变动

薄膜沉积设备作为半导体制造七大核心工艺设备之一，占半导体设备总市场规模的15%左右，下游覆盖先进制程晶圆制造、高功率半导体、TOPCon光伏电池、高端面板等多个高增长领域，行业规模随下游资本开支周期波动。从已披露的公开数据来看，全球薄膜沉积设备市场规模在过去数年呈现周期波动特征，2021年全球市场空间超200亿美元，2022年受全球晶圆厂扩产浪潮推动，市场规模增长至232.7亿美元，2023年受全球半导体行业进入下行周期，下游资本开支收缩，市场规模出现回落，2024年随着存储芯片价格触底反弹，部分先进制程项目重启，全球市场规模回升至126.8亿美元。融中咨询预测，该行业将增长至2035年的228亿美元，2025年至2035年的年复合增长率预计为5.48%。不同年份全球薄膜沉积设备市场规模的变动，直观反映行业随半导体周期的波动特征，统计已披露的不同年份公开核定数据，梳理不同时间节点的全球市场规模变动情况，清晰呈现行业周期特征。

统计年份	市场规模（亿美元）
2021	200.0
2022	232.7
2024	126.8
2035（预测）	228.0

2022到2024年的规模回落，并非行业长期趋势反转，而是全球半导体行业周期波动的正常表现，2021-2022年的高增长来自前期晶圆厂大规模扩产的集中交付，2023-2024年的回落则对应下游去库存阶段资本开支收缩，随着AI驱动先进制程需求增长，行业规模逐步回归增长通道。驱动全球薄膜沉积设备规模增长的核心长期逻辑来自两个方面，一是先进制程晶圆制造对薄膜沉积工序的需求提升，7nm以下先进制程中，薄膜沉积的工序次数从28nm的约30次提升至超过50次，单晶圆设备价值量大幅提升，二是光伏领域N型电池片技术迭代，TOPCon、异质结电池都需要额外的薄膜沉积工序，尤其是异质结电池的本征非晶硅薄膜、TCO薄膜沉积，带来新增设备需求，高端Mini/Micro LED面板也需要更高精度的薄膜沉积设备，带动设备需求增长。短期来看，全球半导体资本开支仍处于周期修复阶段，设备交付周期仍受上游核心零部件供应的影响，部分细分品类的交付周期仍维持在12-18个月区间，一定程度上影响当期市场规模的统计。

1.2 国内产业现状

1.2.1 国内国产化进程

国内薄膜沉积设备市场长期以来被海外厂商垄断，国内半导体产业自主可控战略推进以来，本土设备企业逐步实现技术突破，从低端制程向先进制程渗透，国产化率从2021年的约5%逐步提升，当前已经在14nm以上制程实现批量出货，部分先进制程设备进入验证阶段。国内薄膜沉积设备市场占全球的比例长期维持在25%左右，2021年国内市场空间超45亿美元，2022年测算约为60.5亿美元，是全球最大的单一区域市场。国内下游晶圆厂、光伏电池厂为本土设备企业提供了宝贵的验证机会，国家集成电路产业投资基金一期、二期对本土设备企业的投资也支持了企业的研发投入，部分头部企业的研发费用率长期维持在较高水平，拓荆科技2022年第一季度研发费用率达到43.52%，持续的研发投入推动技术快速迭代。国内晶圆厂扩产主要集中在中国大陆，本土下游需求的增长为本土设备企业提供了广阔的市场空间，过去十年国内晶圆制造产能持续扩张，带动薄膜沉积设备需求持续增长，核心指标的变动清晰反映产业发展方向。

指标类型	年份	数值	单位
全球市场占比	2021	25	%
国内市场规模	2021	45.0	亿美元
国内市场规模	2022	60.5	亿美元
国产化率	2021	5	%

国内市场占比对应全球半导体产能向中国大陆转移的长期趋势，国产化率的提升则反映本土设备企业技术突破的进度，国产化推进速度逐步加快。国产化推进过程中，本土企业首先实现突破的是CVD（化学气相沉积）设备中的PECVD，PVD（物理气相沉积）设备也逐步实现批量出货，ALD（原子层沉积）设备仍处于研发验证阶段，技术难度更高，当前仍被海外厂商垄断，2020年全球ALD设备市场中，东京电子（TEL）和ASM两家合计占比约60%，本土企业尚未实现大规模突破。上游核心零部件方面，本土设备企业的核心零部件如射频电源、真空泵、高精密阀门等仍依赖进口，一定程度上影响本土设备的成本和交付周期，当前国内零部件企业也在逐步突破，部分零部件已经实现国产化验证，未来随着上游零部件国产化推进，本土薄膜沉积设备企业的毛利率还有提升空间，2021年拓荆科技毛利率已经升至44%，随着规模效应和零部件国产化推进，毛利率有望维持在稳定区间。

二、市场竞争格局

2.1 全球竞争分布

2.1.1 海外头部企业份额

全球薄膜沉积设备市场呈现高度垄断的竞争格局，前三名海外厂商合计占据全球大部分市场份额，行业技术壁垒高，客户认证周期长，新进入者难以快速打破现有格局，头部海外厂商拥有超过五十年的技术积累，覆盖全品类薄膜沉积设备产品线，能够满足不同下游客户的差异化需求，与全球顶尖晶圆厂保持长期合作关系，参与先进制程的联合开发，技术迭代速度匹配下游先进制程的演进速度。当前全球主要厂商份额数据已经披露，前三名分别为应用材料、泛林集团、东京电子，三家的份额合计超过四分之三，行业集中度非常高，其余厂商合计份额不足25%，应用材料在PVD领域拥有绝对优势，泛林集团在刻蚀和沉积领域都有布局，东京电子在ALD、CVD领域技术优势明显，不同厂商细分领域的优势各不相同，行业的进入壁垒不仅体现在技术层面，更体现在长期的客户合作与联合开发积累，新进入者很难在短时间内完成替代。

企业名称	市场份额（%）
应用材料	42
泛林集团	19
东京电子	14
其他厂商	25

头部三家企业的份额合计为75%，符合全球半导体设备行业高度集中的特征，剩余25%的份额由多个中小厂商和本土企业分割，本土企业当前主要占据国内中低端制程的部分份额，在全球市场的份额仍不足1%，仍有较大的提升空间。行业的高集中度源于技术和客户认证的双重壁垒，下游晶圆厂对设备的稳定性、精度要求极高，新设备导入需要至少1-2年的验证周期，客户转换成本极高，因此客户更倾向于选择已经经过市场验证的海外头部厂商，本土企业需要通过逐步的验证才能获得更多订单，当前国内本土企业已经通过国内客户的验证，逐步开始替代海外份额，部分本土企业的在手订单已经维持在较高水平，截至2024年3月31日，拓荆科技在手订单81.91亿元，对应未来1-2年的交付，反映下游客户对本土设备的认可度持续提升。

2.2 国内企业竞争

2.2.1 本土头部企业营收对比

国内本土薄膜沉积设备企业主要包括拓荆科技、北方华创、中微公司等，不同企业的产品布局各有差异，拓荆科技聚焦薄膜沉积设备领域，产品线覆盖CVD、PVD等主要品类，是国内技术领先的本土薄膜沉积设备专用厂商，北方华创作为国内综合性半导体设备龙头，薄膜沉积设备是其重要的产品线之一，营收规模更大，中微公司主要布局MOCVD和LPCVD设备，MOCVD主要用于LED和第三代半导体领域。2024年三家企业的薄膜沉积设备相关收入已经披露，不同企业的营收规模差异较大，反映企业的产品线布局和市场渗透程度的差异。国内大基金对本土设备企业的支持，推动企业快速扩张，头部企业的营收规模持续增长，拓荆科技作为聚焦薄膜沉积设备的企业，营收从2018年的0.71亿元增长至2021年的7.58亿元，2024年进一步增长至41亿元，三年时间增长超过四倍，反映市场渗透速度加快，统计三家头部本土企业2024年薄膜沉积设备相关的销售收入，可清晰呈现国内本土企业的竞争梯队。

企业名称	2024年销售收入（亿元）
北方华创	100.0
拓荆科技	41.0
中微公司	5.35

注：中微公司销售收入为MOCVD与LPCVD合计

北方华创作为综合性半导体设备龙头，凭借全产品线优势获得更多下游客户订单，因此薄膜沉积设备收入规模高于专注细分领域的拓荆科技，中微公司的薄膜沉积设备收入规模较小，主要因为其仅布局部分细分品类，整体业务重心仍在刻蚀设备领域。当前国内本土头部企业合计已经占据国内超过三成的薄膜沉积设备市场份额，替代空间仍然广阔。从技术积累来看，本土企业的专利布局逐步完善，截至2023年底，拓荆科技累计获得发明专利34项，实用新型专利94项，软件著作权20项，专利数量的增长反映企业的技术积累逐步增厚，核心技术自主可控程度提升。从订单来看，拓荆科技2023年度新增订单总额约64.69亿元，对比2021年全年7.58亿元的营收，订单规模增长超过8倍，反映下游需求对本土设备的拉动非常明显，合同负债方面，2021年底拓荆科技合同负债4.88亿元，对应预收的设备款项，也反映下游订单的旺盛程度。从盈利能力来看，2021年拓荆科技实现归母净利润0.68亿元，同比实现扭亏为盈，随着营收规模扩大，规模效应逐步显现，净利润规模持续增长，2024年拓荆科技净利润已经实现数倍增长，盈利能力持续提升。本土企业已经开始向14nm以下先进制程渗透，部分设备已经进入客户端验证，一旦验证通过，将进一步打开市场空间，替代更多海外份额。

核心洞察

• 全球薄膜沉积设备市场高度集中，头部三家企业份额合计达75%，垄断格局稳定
• 国内薄膜沉积设备国产化率持续提升，替代空间广阔
• 本土头部企业营收增长迅速，订单储备充足，成长确定性较强

如需获取完整产业链调研数据与标的池，可联系专业产业研究机构获取定制服务。