中国报告大厅网讯，太阳能电池片产业的持续发展有赖于进一步提高转换效率并减少生产成本，这是摆在我们面前的进一步目标和任务。以下是太阳能电池片发展趋势。

　　(1)硅片减薄

　　硅片是晶硅电池成本构成中的主要部分。制造成本高和切片损耗大是硅片成本高的主要原因。早期的硅片通常是用内圆锯切割, 厚度约350 --400μm，切片损耗约50 %左右。线锯发明后，不但硅片考验大大减薄，而且切片损耗大大降低。目前硅片的一般厚度为280 —320μm，未来可以薄到150 —180μm，从而大大降低成本。

　　(2)带硅技术

　　为了减少切片损失，在过去几十年里开发过多种生长带硅或片状硅技术。其中几种比较成熟的带硅技术有:

　　1) 限边喂膜( EFG) 带硅技术。 采用石墨模具从熔硅中拉出正八面硅筒，总管径约30cm ，管壁(硅片) 厚度约200 —400μm，管长约5m。 采用激光将硅管切成边长10 —15cm 方形硅片,电池效率可达13 % —15 %。该技术于90 年代初实现了商业化生产,目前属于RWE(ASE) 公司所有。

　　2) 枝蔓蹼状带硅技术. 在表面张力的作用下,插在熔硅中的两条枝蔓晶的中间会同时长出一层如蹼状的薄片，所以称为蹼状晶切去两边的枝晶，用中间的片状晶制作太阳电池。蹼状晶为各种硅带中质量最好的，但其生长速度相对来说较慢。

　　3) Astropower 的多晶带硅制造技术.

　　该技术基于液相外延工艺,衬底为可以重复使用的廉价陶瓷. 实验室太阳电池效率达到15.16 % ,该技术实现了小规模的商业化生产。我国北京有色金属研究院于20 世纪80 年代中期开展了碳网拉制带硅研究，西北工业大学进行了滴硅旋转法形成硅片的探索性研究,并达到了一定的水平。

　　除此以外，还需要朝着以下几点去发展：

　　(1) 减少材料损耗;

　　(2) 减少制造过程中的能耗;

　　(3) 提高太阳能电池的光电转换效率和光电特性的长期稳定性;

　　(4) 减少生产线设备投资，降低太阳能电池产业的进入门槛;

　　(5) 扩大生产规模和采用更大面积的基片。