中国报告大厅网讯，在光电材料领域，钙钛矿材料因其优异的光电特性备受关注。然而，纯红光钙钛矿LED的性能提升一直面临重大挑战。近日，一项突破性研究成果成功揭示了纯红光钙钛矿LED的性能瓶颈，并通过创新性的材料设计实现了器件性能的显著提升。

  一、揭示纯红光钙钛矿LED性能瓶颈的关键技术

  中国报告大厅发布的《2025-2030年中国钙钛矿市场专题研究及市场前景预测评估报告》指出，研究团队开发了一项创新的电激发瞬态吸收光谱技术，这项技术能够精确探测LED内部的电子和空穴行为。通过这项"拍片子"技术，研究人员首次发现空穴泄漏到电子传输层是导致纯红光钙钛矿LED性能下降的关键因素。这一发现为后续的材料设计和性能优化提供了重要依据。

  二、三维钙钛矿异质结结构突破性能限制

  针对空穴泄漏问题，研究团队提出了创新的三维钙钛矿异质结设计。通过在钙钛矿晶格内部插入有机分子，成功构建了阻拦空穴离开发光层的宽带隙能垒。这种结构设计不仅有效抑制了空穴泄漏，还保持了材料的高迁移率特性，为高性能纯红光钙钛矿LED的开发奠定了基础。

  三、纯红光钙钛矿LED性能实现重大突破

  基于三维钙钛矿异质结结构，研究团队成功制备出高性能纯红光钙钛矿LED。该器件展现出优异的性能指标：峰值外量子效率达到24.2%，与顶级OLED水平相当；最大亮度提升至24600坎德拉/平方米，相比之前报道的纯红光三维钙钛矿LED提升了3倍；在亮度为22670坎德拉/平方米时，器件依然保持超过10%的外量子效率，表现出极低的效率滚降特性。

  这项研究成果不仅解决了纯红光钙钛矿LED亮度提高时效率骤降的关键问题，更为钙钛矿材料在光电领域的应用开辟了新的方向。通过创新性的材料设计和性能优化策略，研究团队成功将纯红光钙钛矿LED的性能提升至国际领先水平，为下一代显示技术的发展提供了重要技术支持。