道琼社25日报导，三星电子（Samsung Electronics）表示，截至台北时间25日下午3时为止，南韩京畿省（Gyeonggi）器兴市（Giheung）半导体厂房跳电所造成的损失估计不到90亿韩圜（790万美元）。三星并表示，目前尚未找出跳电的原因。 Meritz Securities分析师Lee Sun-tae指出，三星半导体厂房跳电造成的影响其实不大，主因多数面临冲击者为非内存生产线。

　　Yonhap News于南韩时间24日下午7时48分报导，三星电子器兴市半导体厂房24日突然跳电，其K2、K5厂区在当地时间下午2时30分左右断电，并在3时35分、5时38分恢复电力。三星表示，上述厂房的核心生产运作并未中断，主因厂房设有不断电系统（UPS）。此外，该公司正在调查断电原因以及对生产的损害程度。

　　受到三星电子半导体厂房跳电的影响，DRAM、NAND型闪存现货报价走势强劲。根据集邦科技（DRAMeXchange）报价，截至台北时间25日下午6时为止，DDR3 1Gb 128Mx8 1333MHz劲扬2.46%,报3.08美元；NAND 64Gb 8Gx8 MLC涨1.12%,报15.26美元