中国报告大厅网讯,进入2026年,NAND闪存行业正处在一个关键转折点。市场供需关系发生显著变化,价格在经历调整后进入快速上升通道,同时,技术创新的步伐持续加速,更高层数的堆叠与新型架构正为未来奠定基础。行业整体呈现出强劲的增长动能与深刻的变革趋势。
中国报告大厅发布的《2026-2031年中国NAND闪存行业发展趋势及竞争策略研究报告》指出,当前,NAND闪存市场正展现出强劲的增长势头。回顾2025年,全球NAND闪存市场规模预计已达到920.6亿美元,其中AI相关需求占比预计超过40%。从产业层面看,2025年预估全球存储器产业产值达5516亿美元,其中NAND Flash产值年增率高达112%,产值达1473亿美元。进入2026年,价格上涨成为最显著的特征。第一季度,主要制造商已将NAND闪存的供应价格上调了100%以上,并正式实施新的价格体系。市场普遍预计此轮NAND价格上涨势头将在第二季度延续,预估第一季NAND Flash报价有55%至60%的季增幅,存储产品价格在第一、第二季度有望持续上涨。这一趋势始于2025年下半年,当时存储市场价格已开始快速上涨,主要NAND闪存制造商共同采取减产措施后,价格企稳并逐步回升。上一季度NAND闪存价格上涨约15%,而未来几个月内价格可能再涨40%至50%。
技术创新是驱动NAND闪存行业发展的核心动力。各主要厂商正竞相推进更高层数的3D堆叠技术。2025年下半年,三星计划量产第十代NAND闪存,堆叠层数达到420至430层,并开始使用混合键合技术。铠侠也与合作伙伴合作研发第十代3D NAND闪存技术。进入2026年,SK海力士计划在第二季度正式启动并大规模生产400多层堆叠的NAND闪存。三星电子则计划在第九代V-NAND中部分导入铁电架构,目标良率突破85%。更革命性的进展在于新型架构的突破,其存储单元串工作电压从传统架构的18V大幅降至0.7V,使得读写功耗较现有技术降低96%,数据传输速度提升3倍,同时保持每单元5比特的高容量存储能力。这项技术的应用前景广阔,一个配备10万片NAND芯片的典型数据中心,采用新技术后年耗电量可从1.2亿度降至480万度,运营成本直降90%,并减少40万吨二氧化碳排放。在移动设备端,存储模块功耗占比将从目前的15%降至不足1%,单次充电续航时间可延长40%以上。
市场的高景气度直接反映在相关企业的业绩表现上。以2025年数据为例,部分存储公司业绩呈现爆发式增长。其中一家公司预计2025年全年营收为550亿至580亿元,净利润为20亿至35亿元;其第四季度单季度营收预计为229亿至259亿元,净利润高达80亿至95亿元。另一家公司预计2025年实现营收100亿元至120亿元,同比增长49.4%至79.2%;年度归母净利润预计为8.5亿元至10亿元,同比增长427.2%至520.2%。其单四季度表现尤为突出,营收预计为34.2亿元至54.2亿元,同比增长105.1%至224.9%;归母净利润预计为8.2亿元至9.7亿元,同比增长1225.4%至1449.7%。这些数据印证了NAND闪存市场在需求拉动和价格上涨下的繁荣局面。
展望未来,NAND闪存行业的增长前景依然乐观。产业预测显示,预估全球存储器产业产值到2027年将达8427亿美元,年增53%。DRAM与NAND Flash合约价涨势预期将延续至2027年,市场的营收成长动能也有望延续至那时。在技术路线上,三星电子计划在2027年实现400层堆叠NAND与铁电技术融合,使单芯片容量达4Tb,较现有产品提升8倍。更长远来看,行业已瞄准千层以上3D NAND的研发。从需求侧观察,预计全球AI相关应用对NAND闪存的需求量有望达到数万亿GB,年复合增长率将超过20%。此外,到2025年底,全球AIoT设备对NAND闪存的需求量预计将达到数亿GB,市场规模将超过数百亿美元。服务器需求的增长也是重要驱动力,预计服务器整机台数将增长至1330万台,其中AI服务器占比将达到14%。这些因素共同构成了NAND闪存市场长期向好的坚实基础。
总结而言,2026年初的NAND闪存行业正处在价格上行周期与技术迭代周期的交汇点。短期内,供应调整与旺盛需求推动价格显著上涨;中长期看,以堆叠层数增加和新型低功耗架构为代表的技术突破,将持续提升NAND闪存的性能、容量与能效,以满足AI、数据中心、消费电子等领域日益增长的海量存储需求。尽管市场在年初可能出现现货价格回落,但行业整体的成长趋势和技术演进方向已十分清晰,预示着未来几年将持续的繁荣与发展。
